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产品参考图片
PSMN1R1-25YLC,115 图片
PSMN1R1-25YLC,115
  • 制造厂商:N . X . P
  • 类别封装:单端场效应管,LFPAK56
  • 技术参数:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:PSMN1R1-25YLC,115
  • 制造商:N.X.P
  • 描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):25V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.15 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):83nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5287pF @ 12V
  • 功率 - 最大值:215W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
  • 供应商器件封装:LFPAK56, Power-SO8
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