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产品参考图片
PSMN023-80LS,115 图片
PSMN023-80LS,115
  • 制造厂商:N . X . P
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-DFN3333(3.3x3.3)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 80V 34A 8DFN
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:PSMN023-80LS,115
  • 制造商:N.X.P
  • 描述:MOSFET N-CH 80V 34A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):80V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):34A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):23 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):21nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1295pF @ 40V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):65W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN3333(3.3x3.3)
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