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PSMN022-30BL,118
制造厂商：N . X . P
类别封装：单端场效应管，D2PAK
技术参数：MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：PSMN022-30BL,118制造商：N.X.P描述：MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：22.6 毫欧 @ 5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：447pF @ 15V功率 - 最大值：41W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK现在可以订购PSMN022-30BL,118，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
