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PMXB65UPEZ 图片
PMXB65UPEZ
  • 制造厂商:N . X . P
  • 类别封装:FET - 单,3-XDFN
  • 技术参数:MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
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    专营IC芯片半导体
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号: PMXB65UPEZ
  • 制造商:N.X.P
  • 功能总体简述: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 12V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3.2A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 72 毫欧 @ 3.2A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 12nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 634pF @ 6V
  • 功率 - 最大值: 317mW
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: 3-XDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装: DFN1010D-3
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