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PMXB65UPEZ
制造厂商:N . X . P
类别封装:FET - 单,3-XDFN
技术参数:MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
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技术参数详情:
制造商产品型号: PMXB65UPEZ制造商:N.X.P功能总体简述: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G系列: -FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能: 标准漏源极电压(Vdss): 12V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3.2A(Ta)不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 72 毫欧 @ 3.2A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 12nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 634pF @ 6V功率 - 最大值: 317mW安装类型: 表面贴装封装/外壳: 3-XDFN 裸露焊盘供应商器件封装: DFN1010D-3现在可以订购PMXB65UPEZ,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。