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PMPB20UN,115
制造厂商：N . X . P
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：6-DFN2020MD（2x2）
技术参数：MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
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技术参数详情：
制造商产品型号：PMPB20UN,115制造商：N.X.P描述：MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：6.6A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 6.6A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.1nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：460pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.7W（Ta），12.5W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：6-DFN2020MD（2x2）现在可以订购PMPB20UN,115，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
