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PMGD8000LN,115
制造厂商：N . X . P
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
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技术参数详情：
制造商产品型号：PMGD8000LN,115制造商：N.X.P描述：MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：TrenchMOS?零件状态：停产FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：125mA不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 欧姆 @ 10mA，4V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 100μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.35nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：18.5pF @ 5V功率-最大值：200mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363现在可以订购PMGD8000LN,115，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
