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PMGD290UCEAX
制造厂商：N . X . P
类别封装：场效应管阵列，6-TSSOP
技术参数：MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP
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技术参数详情：
制造商产品型号：PMGD290UCEAX制造商：N.X.P描述：MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP系列：-FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：725mA，500mA不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 500mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.68nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：83pF @ 10V功率 - 最大值：280mW安装类型：表面贴装封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：6-TSSOP现在可以订购PMGD290UCEAX，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
