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PMDPB70XP,115
制造厂商:N . X . P
类别封装:场效应管阵列,6-HUSON
技术参数:MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN
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技术参数详情:
制造商产品型号:PMDPB70XP,115制造商:N.X.P描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN系列:-FET 类型:2 个 P 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.9A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):87 毫欧 @ 2.9A, 4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.8nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):680pF @ 15V功率 - 最大值:490mW安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-HUSON(2x2)现在可以订购PMDPB70XP,115,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。