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PMDPB58UPE,115
  • 制造厂商:N . X . P
  • 类别封装:场效应管阵列,6-HUSON
  • 技术参数:MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
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    专营IC芯片半导体
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:PMDPB58UPE,115
  • 制造商:N.X.P
  • 描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
  • 系列:-
  • FET 类型:2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.6A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):67 毫欧 @ 2A, 4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):804pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:515mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:6-HUSON(2x2)
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