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PIMD2,115 图片
PIMD2,115
  • 制造厂商:N . X . P
  • 类别封装:阵列﹐预偏压式晶体管,6-TSOP
  • 技术参数:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP
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    专营IC芯片半导体
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:PIMD2,115
  • 制造商:N.X.P
  • 描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP
  • 系列:-
  • 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω):22k
  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):22k
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:-
  • 功率 - 最大值:600mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-74,SOT-457
  • 供应商器件封装:6-TSOP
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