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PHKD13N03LT,118
制造厂商：N . X . P
类别封装：场效应管阵列，8-SO
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：PHKD13N03LT,118制造商：N.X.P描述：MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC系列：TrenchMOS?FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10.4A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 8A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.7nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：752pF @ 15V功率 - 最大值：3.57W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SO现在可以订购PHKD13N03LT,118，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
