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PHD38N02LT,118
  • 制造厂商:N . X . P
  • 类别封装:单端场效应管,DPAK
  • 技术参数:MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
  • (专注销售电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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    专营IC芯片半导体
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:PHD38N02LT,118
  • 制造商:N.X.P
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
  • 系列:TrenchMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):44.7A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):16 毫欧 @ 25A,5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15.1nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):800pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:57.6W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装:DPAK
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