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PHC2300,118
制造厂商:N . X . P
类别封装:场效应管阵列,8-SO
技术参数:MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC
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技术参数详情:
制造商产品型号:PHC2300,118制造商:N.X.P描述:MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC系列:-FET 类型:N 和 P 沟道FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):300V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):340mA,235mA不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6 欧姆 @ 170mA,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.24nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):102pF @ 50V功率 - 最大值:1.6W安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SO现在可以订购PHC2300,118,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。