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NX7002BKMBYL
制造厂商：N . X . P
类别封装：FET - 单，3-XFDFN
技术参数：MOSFET N-CH 60V SGL XQFN3
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技术参数详情：
制造商产品型号: NX7002BKMBYL制造商：N.X.P功能总体简述: MOSFET N-CH 60V SGL XQFN3系列: TrenchMOS?FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能: 逻辑电平门漏源极电压（Vdss）: 60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 350mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 2.8 欧姆 @ 200mA，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 23.6pF @ 10V功率 - 最大值: 350mW安装类型: 表面贴装封装/外壳: 3-XFDFN供应商器件封装: 3-DFN1006B（0.6x1）现在可以订购NX7002BKMBYL，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
