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BUK9MJT-55PRF,518
制造厂商:N . X . P
类别封装:场效应管阵列,20-SO
技术参数:MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC
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技术参数详情:
制造商产品型号:BUK9MJT-55PRF,518制造商:N.X.P描述:MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC系列:-FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):55V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):-不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):13.8 毫欧 @ 10A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-功率 - 最大值:-安装类型:表面贴装封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)供应商器件封装:20-SO现在可以订购BUK9MJT-55PRF,518,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。