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BUK9E2R8-60E,127
制造厂商：N . X . P
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：I2PAK
技术参数：MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：BUK9E2R8-60E,127制造商：N.X.P描述：MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TrenchMOS?零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 毫欧 @ 25A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：120nC @ 5VVgs（最大值）：±10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：17450pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：349W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：I2PAK现在可以订购BUK9E2R8-60E,127，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
