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BUK663R2-40C,118
制造厂商：N . X . P
类别封装：单端场效应管，D2PAK
技术参数：MOSFET N-CH TRENCH D2PACK
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技术参数详情：
制造商产品型号：BUK663R2-40C,118制造商：N.X.P描述：MOSFET N-CH TRENCH D2PACK系列：TrenchMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.2 毫欧 @ 25A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：125nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8020pF @ 25V功率 - 最大值：204W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK现在可以订购BUK663R2-40C,118，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
