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A2G35S160-01SR3
制造厂商：N . X . P
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，封装：NI-400S-2S
技术参数：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
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技术参数详情：
制造商产品型号：A2G35S160-01SR3制造商：N.X.P描述：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频零件状态：有源晶体管类型：LDMOS频率：3.4GHz ~ 3.6GHz增益：15.7dB电压-测试：48V额定电流（安培）：-噪声系数：-电流-测试：190mA功率-输出：51dBm电压-额定：125V封装：NI-400S-2S现在可以订购A2G35S160-01SR3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
